IPD068P03L3G νέο πρωτότυπο Electronic Components IC chip MCU BOM υπηρεσία σε απόθεμα IPD068P03L3G
Χαρακτηριστικά Προϊόντος
ΤΥΠΟΣ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
Κατηγορία | Διακριτά Προϊόντα Ημιαγωγών |
Mfr | Infineon Technologies |
Σειρά | OptiMOS™ |
Πακέτο | Ταινία και καρούλι (TR) Κοπή ταινίας (CT) Digi-Reel® |
Κατάσταση προϊόντος | Ενεργός |
Τύπος FET | P-Channel |
Τεχνολογία | MOSFET (οξείδιο μετάλλου) |
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) | 30 V |
Ρεύμα – Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6,8mOhm @ 70A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 150µA |
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
Vgs (Μέγ.) | ±20V |
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds | 7720 pF @ 15 V |
Λειτουργία FET | - |
Διαρροή ισχύος (Μέγ.) | 100 W (Tc) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Τύπος τοποθέτησης | Αναρτημένο στην επιφάνεια |
Πακέτο συσκευής προμηθευτή | PG-TO252-3 |
Πακέτο / Θήκη | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Βασικός αριθμός προϊόντος | IPD068 |
Έγγραφα & Μέσα
ΕΙΔΟΣ ΠΟΡΟΥ | ΣΥΝΔΕΣΜΟΣ |
Φύλλα δεδομένων | IPD068P03L3 G |
Άλλα Σχετικά Έγγραφα | Οδηγός αριθμού ανταλλακτικού |
Προτεινόμενο προϊόν | Συστήματα Επεξεργασίας Δεδομένων |
Φύλλο δεδομένων HTML | IPD068P03L3 G |
Μοντέλα EDA | IPD068P03L3GATMA1 από Ultra Librarian |
Περιβαλλοντικές & Εξαγωγικές Ταξινομήσεις
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
Κατάσταση RoHS | Συμβατό με ROHS3 |
Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL) | 1 (Απεριόριστο) |
Κατάσταση REACH | REACH Δεν επηρεάζεται |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Επιπρόσθετοι πόροι
ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ | ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ |
Αλλα ονόματα | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
Τυπικό πακέτο | 2.500 |
Τρανζίστορ
Ένα τρανζίστορ είναι ένασυσκευή ημιαγωγώνσυνηθισμένοςενίσχυσηήδιακόπτηςηλεκτρικά σήματα καιεξουσία.Το τρανζίστορ είναι ένα από τα βασικά δομικά στοιχεία του σύγχρονουΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΙΔΗ.[1]Αποτελείται απόυλικό ημιαγωγών, συνήθως με τουλάχιστον τρειςτερματικάγια σύνδεση σε ηλεκτρονικό κύκλωμα.ΕΝΑΤάσηήρεύμαπου εφαρμόζεται σε ένα ζεύγος ακροδεκτών του τρανζίστορ ελέγχει το ρεύμα μέσω ενός άλλου ζεύγους ακροδεκτών.Επειδή η ελεγχόμενη ισχύς (εξόδου) μπορεί να είναι μεγαλύτερη από την ισχύ ελέγχου (εισόδου), ένα τρανζίστορ μπορεί να ενισχύσει ένα σήμα.Ορισμένα τρανζίστορ συσκευάζονται ξεχωριστά, αλλά πολλά άλλα βρίσκονται ενσωματωμέναολοκληρωμένα κυκλώματα.
Αυστροουγγρική φυσικός Julius Edgar Lilienfeldπρότεινε την έννοια του ατρανζίστορ πεδίουτο 1926, αλλά δεν ήταν δυνατό να κατασκευαστεί πραγματικά μια συσκευή εργασίας εκείνη την εποχή.[2]Η πρώτη συσκευή εργασίας που κατασκευάστηκε ήταν ατρανζίστορ επαφής σημείουεφευρέθηκε το 1947 από Αμερικανούς φυσικούςΤζον ΜπαρντίνκαιWalter Brattainενώ εργάζονταν κάτω απόΟυίλιαμ ΣόκλεϊστοBell Labs.Οι τρεις μοιράστηκαν το 1956Βραβείο Νόμπελ Φυσικήςγια το επίτευγμά τους.[3]Ο πιο ευρέως χρησιμοποιούμενος τύπος τρανζίστορ είναι τοτρανζίστορ πεδίου δράσης μετάλλου-οξειδίου-ημιαγωγού(MOSFET), το οποίο εφευρέθηκε απόΜοχάμεντ ΑτάλλακαιDawon Kahngστα Bell Labs το 1959.[4][5][6]Τα τρανζίστορ έφεραν επανάσταση στον τομέα των ηλεκτρονικών και άνοιξαν το δρόμο για μικρότερα και φθηνότεραραδιόφωνα,αριθμομηχανές, καιΥπολογιστές, μεταξύ άλλων.
Τα περισσότερα τρανζίστορ είναι κατασκευασμένα από πολύ καθαρόπυρίτιο, και μερικά απόγερμάνιο, αλλά μερικές φορές χρησιμοποιούνται ορισμένα άλλα υλικά ημιαγωγών.Ένα τρανζίστορ μπορεί να έχει μόνο ένα είδος φορέα φόρτισης, σε ένα τρανζίστορ φαινομένου πεδίου, ή μπορεί να έχει δύο είδη φορέων φορτίου σετρανζίστορ διπολικής διασταύρωσηςσυσκευές.Σε σύγκριση με τοσωλήνας κενού, τα τρανζίστορ είναι γενικά μικρότερα και απαιτούν λιγότερη ισχύ για να λειτουργήσουν.Ορισμένοι σωλήνες κενού έχουν πλεονεκτήματα έναντι των τρανζίστορ σε πολύ υψηλές συχνότητες λειτουργίας ή υψηλές τάσεις λειτουργίας.Πολλοί τύποι τρανζίστορ κατασκευάζονται με τυποποιημένες προδιαγραφές από πολλούς κατασκευαστές.