order_bg

προϊόντα

AQX IRF7416TRPBF Νέο και πρωτότυπο ολοκληρωμένο τσιπ κυκλώματος IRF7416TRPBF

Σύντομη περιγραφή:


Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Χαρακτηριστικά Προϊόντος

ΤΥΠΟΣ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Κατηγορία Διακριτά Προϊόντα Ημιαγωγών

Τρανζίστορ – FET, MOSFET – Μονά

Mfr Infineon Technologies
Σειρά HEXFET®
Πακέτο Ταινία και καρούλι (TR)

Κοπή ταινίας (CT)

Digi-Reel®

Κατάσταση προϊόντος Ενεργός
Τύπος FET P-Channel
Τεχνολογία MOSFET (οξείδιο μετάλλου)
Τάση αποστράγγισης στην πηγή (Vdss) 30 V
Ρεύμα – Συνεχής Αποστράγγιση (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5,6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (Μέγ.) @ Vgs 92 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.) ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Μέγ.) @ Vds 1700 pF @ 25 V
Λειτουργία FET -
Διαρροή ισχύος (Μέγ.) 2,5 W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης Αναρτημένο στην επιφάνεια
Πακέτο συσκευής προμηθευτή 8-SO
Πακέτο / Θήκη 8-SOIC (0,154″, πλάτος 3,90 mm)
Βασικός αριθμός προϊόντος IRF7416

Έγγραφα & Μέσα

ΕΙΔΟΣ ΠΟΡΟΥ ΣΥΝΔΕΣΜΟΣ
Φύλλα δεδομένων IRF7416PbF
Άλλα Σχετικά Έγγραφα Σύστημα αρίθμησης ανταλλακτικών IR
Ενότητες Εκπαίδευσης Προϊόντων Ολοκληρωμένα κυκλώματα υψηλής τάσης (HVIC Gate Drivers)

MOSFET Διακριτικής Ισχύος 40V και Κάτω

Προτεινόμενο προϊόν Συστήματα Επεξεργασίας Δεδομένων
Φύλλο δεδομένων HTML IRF7416PbF
Μοντέλα EDA IRF7416TRPBF από την Ultra Librarian
Μοντέλα Προσομοίωσης Μοντέλο IRF7416PBF Sabre

Περιβαλλοντικές & Εξαγωγικές Ταξινομήσεις

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Κατάσταση RoHS Συμβατό με ROHS3
Επίπεδο ευαισθησίας σε υγρασία (MSL) 1 (Απεριόριστο)
Κατάσταση REACH REACH Δεν επηρεάζεται
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Επιπρόσθετοι πόροι

ΧΑΡΑΚΤΗΡΙΣΤΙΚΟ ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ
Αλλα ονόματα IRF7416TRPBFDKR

SP001554262

IRF7416TRPBFCT

IRF7416TRPBF-ND

IRF7416TRPBFTR

Τυπικό πακέτο 4.000

IRF7416

Οφέλη
Επίπεδη δομή κυψελών για ευρύ SOA
Βελτιστοποιημένο για ευρύτερη διαθεσιμότητα από συνεργάτες διανομής
Πιστοποίηση προϊόντος σύμφωνα με το πρότυπο JEDEC
Πυρίτιο βελτιστοποιημένο για εφαρμογές που αλλάζουν κάτω από <100KHz
Στάνταρ βιομηχανικό πακέτο τροφοδοσίας επιφανειακής τοποθέτησης
Δυνατότητα συγκόλλησης με κύματα
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET σε συσκευασία SO-8
Οφέλη
Συμβατό με RoHS
Χαμηλό RDS (ενεργό)
Κορυφαία ποιότητα στον κλάδο
Δυναμική βαθμολογία dv/dt
Γρήγορη εναλλαγή
Πλήρως χιονοστιβάδα
175°C Θερμοκρασία λειτουργίας
P-Channel MOSFET

Τρανζίστορ

Ένα τρανζίστορ είναι ένασυσκευή ημιαγωγώνσυνηθισμένοςενίσχυσηήδιακόπτηςηλεκτρικά σήματα καιεξουσία.Το τρανζίστορ είναι ένα από τα βασικά δομικά στοιχεία του σύγχρονουΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΑ ΕΙΔΗ.[1]Αποτελείται απόυλικό ημιαγωγών, συνήθως με τουλάχιστον τρειςτερματικάγια σύνδεση σε ηλεκτρονικό κύκλωμα.ΕΝΑΤάσηήρεύμαπου εφαρμόζεται σε ένα ζεύγος ακροδεκτών του τρανζίστορ ελέγχει το ρεύμα μέσω ενός άλλου ζεύγους ακροδεκτών.Επειδή η ελεγχόμενη ισχύς (εξόδου) μπορεί να είναι μεγαλύτερη από την ισχύ ελέγχου (εισόδου), ένα τρανζίστορ μπορεί να ενισχύσει ένα σήμα.Ορισμένα τρανζίστορ συσκευάζονται ξεχωριστά, αλλά πολλά άλλα βρίσκονται ενσωματωμέναολοκληρωμένα κυκλώματα.

Αυστροουγγρική φυσικός Julius Edgar Lilienfeldπρότεινε την έννοια του ατρανζίστορ πεδίουτο 1926, αλλά δεν ήταν δυνατό να κατασκευαστεί πραγματικά μια συσκευή εργασίας εκείνη την εποχή.[2]Η πρώτη συσκευή εργασίας που κατασκευάστηκε ήταν ατρανζίστορ επαφής σημείουεφευρέθηκε το 1947 από Αμερικανούς φυσικούςΤζον ΜπαρντίνκαιWalter Brattainενώ εργάζονταν κάτω απόΟυίλιαμ ΣόκλεϊστοBell Labs.Οι τρεις μοιράστηκαν το 1956Βραβείο Νόμπελ Φυσικήςγια το επίτευγμά τους.[3]Ο πιο ευρέως χρησιμοποιούμενος τύπος τρανζίστορ είναι τοτρανζίστορ πεδίου δράσης μετάλλου-οξειδίου-ημιαγωγού(MOSFET), το οποίο εφευρέθηκε απόΜοχάμεντ ΑτάλλακαιDawon Kahngστα Bell Labs το 1959.[4][5][6]Τα τρανζίστορ έφεραν επανάσταση στον τομέα των ηλεκτρονικών και άνοιξαν το δρόμο για μικρότερα και φθηνότεραραδιόφωνα,αριθμομηχανές, καιΥπολογιστές, μεταξύ άλλων.

Τα περισσότερα τρανζίστορ είναι κατασκευασμένα από πολύ καθαρόπυρίτιο, και μερικά απόγερμάνιο, αλλά μερικές φορές χρησιμοποιούνται ορισμένα άλλα υλικά ημιαγωγών.Ένα τρανζίστορ μπορεί να έχει μόνο ένα είδος φορέα φόρτισης, σε ένα τρανζίστορ φαινομένου πεδίου, ή μπορεί να έχει δύο είδη φορέων φορτίου σετρανζίστορ διπολικής διασταύρωσηςσυσκευές.Σε σύγκριση με τοσωλήνας κενού, τα τρανζίστορ είναι γενικά μικρότερα και απαιτούν λιγότερη ισχύ για να λειτουργήσουν.Ορισμένοι σωλήνες κενού έχουν πλεονεκτήματα έναντι των τρανζίστορ σε πολύ υψηλές συχνότητες λειτουργίας ή υψηλές τάσεις λειτουργίας.Πολλοί τύποι τρανζίστορ κατασκευάζονται με τυποποιημένες προδιαγραφές από πολλούς κατασκευαστές.


  • Προηγούμενος:
  • Επόμενο:

  • Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς