STF13N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Προτεινόμενη εικόνα σωλήνα STF13N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3 ακίδων (3+Tab) TO-220FP

Σύντομη περιγραφή:

Το STF13N80K5 power MOSFETde έχει μέγιστη κατανάλωση ισχύος 35.000 mW.Για να διασφαλιστεί ότι τα μέρη δεν θα καταστραφούν από τη μαζική συσκευασία, χρησιμοποιεί σωληνοειδή συσκευασία, η οποία προσθέτει λίγη προστασία με την αποθήκευση χαλαρών εξαρτημάτων σε εξωτερικούς σωλήνες.Το τρανζίστορ μπορεί εύκολα και γρήγορα να εναλλάσσεται μεταξύ διαφορετικών ηλεκτρονικών σημάτων.Η συσκευή υιοθετεί τεχνολογία super mesh.Το τρανζίστορ MOSFET λειτουργεί στην περιοχή θερμοκρασιών -55°C έως 150°C.

Στείλτε μας email Λήψη φύλλου ημερομηνίας

Λεπτομέρεια προϊόντος

Ετικέτες προϊόντων

Χαρακτηριστικά Προϊόντος

EU RoHS	Συμμορφώνεται με την Εξαίρεση
ECCN (ΗΠΑ)	EAR99
Κατάσταση μέρους	Ενεργός
HTS	8541.29.00.95
SVHC	Ναί
Το SVHC υπερβαίνει το όριο	Ναί
Αυτοκίνητο	No
ΠΠΑΠ	No
κατηγορία προιόντος	Power MOSFET
Διαμόρφωση	Μονόκλινο
Τεχνολογία Διαδικασιών	SuperMESH
Λειτουργία καναλιού	Βελτιστοποίηση
Τύπος καναλιού	N
Αριθμός Στοιχείων ανά Chip	1
Μέγιστη τάση πηγής αποστράγγισης (V)	800
Μέγιστη τάση πηγής πύλης (V)	±30
Μέγιστη τάση κατωφλίου πύλης (V)	5
Θερμοκρασία διασταύρωσης λειτουργίας (°C)	-55 έως 150
Μέγιστο συνεχές ρεύμα αποστράγγισης (A)	12
Μέγιστο ρεύμα διαρροής πηγής πύλης (nA)	10000
Μέγιστο IDSS (uA)	1
Μέγιστη αντίσταση πηγής αποστράγγισης (mOhm)	450@10V
Τυπική φόρτιση πύλης @ Vgs (nC)	27@10V
Τυπική φόρτιση πύλης @ 10V (nC)	27
Τυπική χωρητικότητα εισόδου @ Vds (pF)	870@100V
Μέγιστη απαγωγή ισχύος (mW)	35000
Τυπική φθινοπωρινή ώρα (ns)	16
Τυπικός χρόνος ανόδου (ns)	16
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης (ns)	42
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης (ns)	16
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας (°C)	-55
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας (°C)	150
Βαθμός θερμοκρασίας προμηθευτή	Βιομηχανικός
Συσκευασία	Σωλήνας
Μέγιστη θετική τάση πηγής πύλης (V)	30
Μέγιστη μπροστινή τάση διόδου (V)	1.5
Βάση	Μέσα από την τρύπα
Ύψος συσκευασίας	16,4 (Μέγ.)
Πλάτος συσκευασίας	4,6 (Μέγ.)
Μήκος συσκευασίας	10,4 (Μέγ.)
Το PCB άλλαξε	3
Αυτί	Αυτί
Τυπικό όνομα πακέτου	TO
Πακέτο προμηθευτή	TO-220FP
Καταμέτρηση καρφιτσών	3
Μόλυβδος	Μέσα από την τρύπα

εισαγωγή

Ένας σωλήνας εφέ πεδίου είναι έναηλεκτρονική συσκευήχρησιμοποιείται για τον έλεγχο και τη ρύθμιση του ρεύματος σε ένα ηλεκτρονικό κύκλωμα.Είναι ένα μικρό τρίοδο με πολύ υψηλό κέρδος ρεύματος.Τα φετ έχουν χρησιμοποιηθεί ευρέως σε ηλεκτρονικά κυκλώματα, όπως π.χενισχυτής ισχύος, κύκλωμα ενισχυτή, κύκλωμα φίλτρου,κύκλωμα μεταγωγήςκαι ούτω καθεξής.

Η αρχή του σωλήνα φαινομένου πεδίου είναι το φαινόμενο πεδίου, το οποίο είναι ένα ηλεκτρικό φαινόμενο που αναφέρεται σε ορισμένα ημιαγωγικά υλικά, όπως το πυρίτιο, μετά την εφαρμογή ενός εφαρμοσμένου ηλεκτρικού πεδίου, η δραστηριότητα των ηλεκτρονίων του βελτιώνεται σημαντικά, μεταβάλλοντας έτσι την αγώγιμη ιδιότητες.Επομένως, εάν ένα ηλεκτρΤο πεδίο c εφαρμόζεται στην επιφάνεια ενός ημιαγωγού υλικού, οι αγώγιμες ιδιότητές του μπορούν να ελεγχθούν, έτσι ώστε να επιτευχθεί ο σκοπός της ρύθμισης του ρεύματος.

Τα Fets χωρίζονται σε Fets τύπου N και Fets τύπου P.Τα Fet τύπου N είναι κατασκευασμένα από ημιαγωγικά υλικά τύπου N με υψηλή αγωγιμότητα προς τα εμπρός και χαμηλή αντίστροφη αγωγιμότητα.Τα Fet τύπου P είναι κατασκευασμένα από ημιαγωγικά υλικά τύπου P με υψηλή αντίστροφη αγωγιμότητα και χαμηλή αγωγιμότητα προς τα εμπρός.Ο σωλήνας εφέ πεδίου που αποτελείται από σωλήνα εφέ πεδίου τύπου N και σωλήνα εφέ πεδίου τύπου P μπορεί να πραγματοποιήσει τον έλεγχο ρεύματος.

Το κύριο χαρακτηριστικό του FET είναι ότι έχει υψηλό κέρδος ρεύματος, το οποίο είναι κατάλληλο για κυκλώματα υψηλής συχνότητας και υψηλής ευαισθησίας και έχει τα χαρακτηριστικά χαμηλού θορύβου και χαμηλού θορύβου αποκοπής.Έχει επίσης τα πλεονεκτήματα της χαμηλής κατανάλωσης ενέργειας, της χαμηλής απαγωγής θερμότητας, της σταθερότητας και της αξιοπιστίας και είναι ένα ιδανικό στοιχείο ελέγχου ρεύματος.

Τα φετ λειτουργούν με παρόμοιο τρόπο με τα συνηθισμένα τρίοδα, αλλά με υψηλότερο κέρδος ρεύματος.Το κύκλωμα λειτουργίας του χωρίζεται γενικά σε τρία μέρη: πηγή, αποστράγγιση και έλεγχος.Η πηγή και η αποστράγγιση σχηματίζουν τη διαδρομή του ρεύματος, ενώ ο πόλος ελέγχου ελέγχει τη ροή του ρεύματος.Όταν εφαρμόζεται τάση στον πόλο ελέγχου, η ροή του ρεύματος μπορεί να ελεγχθεί, έτσι ώστε να επιτευχθεί ο σκοπός της ρύθμισης του ρεύματος.

Σε πρακτικές εφαρμογές, τα Fets χρησιμοποιούνται συχνά σε κυκλώματα υψηλής συχνότητας, όπως ενισχυτές ισχύος, κυκλώματα φίλτρων, κυκλώματα μεταγωγής κ.λπ. Για παράδειγμα, σε ενισχυτές ισχύος, τα Fets μπορούν να ενισχύσουν το ρεύμα εισόδου, αυξάνοντας έτσι την ισχύ εξόδου.Στο κύκλωμα φίλτρου, ο σωλήνας εφέ πεδίου μπορεί να φιλτράρει τον θόρυβο στο κύκλωμα.Στο κύκλωμα μεταγωγής, το FET μπορεί να πραγματοποιήσει τη λειτουργία μεταγωγής.

Γενικά, τα Fets είναι ένα σημαντικό ηλεκτρονικό εξάρτημα και χρησιμοποιούνται ευρέως σε ηλεκτρονικά κυκλώματα.Έχει τα χαρακτηριστικά του υψηλού κέρδους ρεύματος, της χαμηλής κατανάλωσης ενέργειας, της σταθερότητας και της αξιοπιστίας και είναι ιδανικό στοιχείο ελέγχου ρεύματος

Προηγούμενος: L6205PD013TR 100% Νέο & Γνήσιο Ολοκληρωμένο κύκλωμα Ολοκληρωμένο κύκλωμα Ρολόι Υψηλής Απόδοσης Οικογένεια Buffer

Επόμενο: XCVU190-2FLGB2104I 100% Καινούργιο & Γνήσιο Ιδιόκτητο Ενσωματωμένο κύκλωμα υψηλής απόδοσης Οικογένεια buffer ρολογιού

Γράψτε το μήνυμά σας εδώ και στείλτε το σε εμάς