LM46002AQPWPRQ1 πακέτο HTSSOP16 ολοκληρωμένο κύκλωμα IC chip νέα πρωτότυπα ηλεκτρονικά εξαρτήματα spot

Διαδικασία παραγωγής τσιπ

Η πλήρης διαδικασία κατασκευής τσιπ περιλαμβάνει σχεδιασμό τσιπ, παραγωγή γκοφρέτας, συσκευασία τσιπ και δοκιμή τσιπ, μεταξύ των οποίων η διαδικασία παραγωγής πλακιδίων είναι ιδιαίτερα περίπλοκη.

Το πρώτο βήμα είναι ο σχεδιασμός του τσιπ, ο οποίος βασίζεται στις απαιτήσεις σχεδιασμού, όπως λειτουργικούς στόχους, προδιαγραφές, διάταξη κυκλώματος, περιέλιξη σύρματος και λεπτομέρειες, κ.λπ.οι φωτομάσκες παράγονται εκ των προτέρων σύμφωνα με τους κανόνες του τσιπ.

②.Παραγωγή γκοφρέτας.

1. Οι γκοφρέτες πυριτίου κόβονται στο απαιτούμενο πάχος χρησιμοποιώντας έναν κόφτη γκοφρέτας.Όσο πιο λεπτή είναι η γκοφρέτα, τόσο χαμηλότερο είναι το κόστος παραγωγής, αλλά τόσο πιο απαιτητική είναι η διαδικασία.

2. επικάλυψη της επιφάνειας της γκοφρέτας με μια φωτοανθεκτική μεμβράνη, η οποία βελτιώνει την αντίσταση της γκοφρέτας στην οξείδωση και τη θερμοκρασία.

3. Η ανάπτυξη και η χάραξη της φωτολιθογραφίας γκοφρέτας χρησιμοποιεί χημικές ουσίες που είναι ευαίσθητες στο υπεριώδες φως, δηλαδή γίνονται πιο μαλακές όταν εκτίθενται σε υπεριώδη ακτινοβολία.Το σχήμα του τσιπ μπορεί να ληφθεί ελέγχοντας τη θέση της μάσκας.Εφαρμόζεται ένα φωτοανθεκτικό στη γκοφρέτα πυριτίου έτσι ώστε να διαλυθεί όταν εκτεθεί σε υπεριώδη ακτινοβολία.Αυτό γίνεται με την εφαρμογή του πρώτου τμήματος της μάσκας έτσι ώστε το μέρος που εκτίθεται σε υπεριώδη ακτινοβολία να διαλυθεί και αυτό το διαλυμένο μέρος να μπορεί στη συνέχεια να ξεπλυθεί με έναν διαλύτη.Αυτό το διαλυμένο μέρος μπορεί στη συνέχεια να ξεπλυθεί με έναν διαλύτη.Το υπόλοιπο τμήμα διαμορφώνεται στη συνέχεια σαν το φωτοανθεκτικό, δίνοντάς μας το επιθυμητό στρώμα πυριτίας.

4. Έγχυση ιόντων.Χρησιμοποιώντας μια μηχανή χάραξης, οι παγίδες N και P χαράσσονται στο γυμνό πυρίτιο και τα ιόντα εγχέονται για να σχηματίσουν μια σύνδεση PN (λογική πύλη).το ανώτερο μεταλλικό στρώμα συνδέεται στη συνέχεια στο κύκλωμα με χημική και φυσική κατακρήμνιση καιρού.

5. Δοκιμή γκοφρέτας Μετά τις παραπάνω διαδικασίες, σχηματίζεται ένα πλέγμα από ζάρια στη γκοφρέτα.Τα ηλεκτρικά χαρακτηριστικά κάθε μήτρας ελέγχονται με τη χρήση δοκιμών πείρων.

③.Συσκευασία τσιπ

Η τελική γκοφρέτα στερεώνεται, δένεται σε καρφίτσες και γίνεται σε διάφορες συσκευασίες ανάλογα με τη ζήτηση.Παραδείγματα: DIP, QFP, PLCC, QFN και ούτω καθεξής.Αυτό καθορίζεται κυρίως από τις συνήθειες εφαρμογής του χρήστη, το περιβάλλον εφαρμογής, την κατάσταση της αγοράς και άλλους περιφερειακούς παράγοντες.

④.Δοκιμή τσιπ

Η τελική διαδικασία κατασκευής τσιπ είναι η δοκιμή τελικού προϊόντος, η οποία μπορεί να χωριστεί σε γενικές δοκιμές και ειδικές δοκιμές, η πρώτη είναι η δοκιμή των ηλεκτρικών χαρακτηριστικών του τσιπ μετά τη συσκευασία σε διάφορα περιβάλλοντα, όπως κατανάλωση ενέργειας, ταχύτητα λειτουργίας, αντίσταση τάσης, κτλ. Μετά τη δοκιμή, τα τσιπ ταξινομούνται σε διαφορετικές ποιότητες ανάλογα με τα ηλεκτρικά τους χαρακτηριστικά.Η ειδική δοκιμή βασίζεται στις τεχνικές παραμέτρους των ειδικών αναγκών του πελάτη και ελέγχονται μερικά τσιπ από παρόμοιες προδιαγραφές και ποικιλίες για να διαπιστωθεί εάν μπορούν να ανταποκριθούν στις ειδικές ανάγκες του πελάτη, για να αποφασιστεί εάν πρέπει να σχεδιαστούν ειδικά τσιπ για τον πελάτη.Τα προϊόντα που έχουν περάσει τη γενική δοκιμή φέρουν ετικέτα με προδιαγραφές, αριθμούς μοντέλου και εργοστασιακές ημερομηνίες και συσκευάζονται πριν φύγουν από το εργοστάσιο.Τα τσιπ που δεν περνούν τη δοκιμή ταξινομούνται ως υποβαθμισμένα ή απορριφθέντα ανάλογα με τις παραμέτρους που έχουν επιτύχει.